收藏本站
New Product
SiB412DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.10
0.0 8
I D = 6.6 A
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.06
0.04
T A = 125 °C
0.01
0.001
0.02
0.00
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0. 8
15
0.6
I D = 250 μ A
10
0.4
0.2
0.0
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited b y R DS(on) *
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.1
0.01
0.001
0.1
* V GS
DC
T A = 25 °C
Single P u lse
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
4
Document Number: 70439
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIB413DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
SIB433EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V SC-75-6
SIB452DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L
SIB914DK-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
SIE800DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE802DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE804DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK
相关代理商/技术参数
SIB413DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB414DK-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
SIB414DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB415DK 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIB415DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB417AEDK-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:P-CHANNEL 1.2-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P-CHAN 8V G-S PWRPACK 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Single P-Channel 8 V 0.032 O 11.3 nC Power Mosfet - PowerPAK SC-75-6L
SIB417DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 52mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB417EDK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube